Samsung plant 2-nm-Produktion von HBM-Basis-Dies in Texas – AMD soll größter Abnehmer sein

Ein zweites Werk in Taylor zielt auf die Schaltkreise unter dem KI-Speicher

Samsung Electronics plant, in seinem zweiten Chipwerk in Taylor im US-Bundesstaat Texas fortschrittliche Komponenten für KI-Speicher herzustellen. Die Massenproduktion soll 2030 beginnen. Das geplante Werk soll ein 2-Nanometer-Fertigungsverfahren nutzen, rund 2,7 Millionen Quadratfuß umfassen und Basis-Dies liefern, die unter den Stapeln von High-Bandwidth-Memory (HBM) sitzen.

Branchenkreisen zufolge haben Kunden die gesamte geplante Produktionskapazität des Werks reserviert, wobei AMD den größten Teil abnehmen soll. Auch Nvidia wird als potenzieller Kunde genannt. Samsung wollte sich zu dem Bericht über das Werk nicht äußern; die Reservierungen wurden nicht unabhängig bestätigt. Wie sich die Kapazität auf die Kunden verteilt, welche Vertragswerte vereinbart wurden und wie viele Wafer produziert werden sollen, ist nicht bekannt.

Das Projekt würde Samsung einen weiteren Weg in das wachsende Geschäft mit der Herstellung von Logikschaltkreisen in KI-Speichern eröffnen. Samsungs Speichersparte produziert die Chips, die Informationen speichern, während die Foundry-Sparte Chips mit Rechen- und Steuerungsschaltungen fertigt. Anspruchsvollere HBM-Designs rücken diese beiden Geschäftsbereiche näher zusammen.

Nvidias Anforderungen machen diese Chance zugleich komplexer. Der KI-Prozessorentwickler soll Samsung, SK hynix und Micron aufgefordert haben, für die Basis-Dies seines kundenspezifischen NVHBM-Speichers das Fertigungsverfahren des Konkurrenten TSMC zu verwenden. Samsung stehen damit zwei unterschiedliche Geschäftswege offen: Speicher mit TSMC-Komponenten für Nvidia zu fertigen und für Kunden wie AMD die eigenen Werke zu nutzen.

Das Vorhaben in Texas rückt diese beiden Wege stärker in den Fokus. Samsung könnte ein bedeutender Speicherlieferant bleiben, auch wenn ein anderes Unternehmen den Basis-Die fertigt, und zugleich mehr Fertigungsumsatz mit Kunden erzielen, die sich für Samsungs eigenes Verfahren entscheiden.

Was im Werk in Texas gefertigt werden soll

HBM vereint mehrere Speicherchips in einem vertikalen Stapel neben einem leistungsstarken Prozessor. Dadurch können große Datenmengen kurze Wege zurücklegen, sodass KI-Prozessoren die für ihre Berechnungen benötigten Daten erhalten. Bandbreite bezeichnet die Datenmenge, die in einer bestimmten Zeit übertragen werden kann, nicht die Menge an Informationen, die der Speicher fasst.

Ein Die ist ein einzelnes Stück Silizium mit elektronischen Schaltkreisen. In einem HBM-Stapel speichern die Speicher-Core-Dies die Daten. Der darunterliegende Basis-Die stellt Verbindungen und Logikfunktionen bereit, über die der Stapel mit dem Prozessor kommuniziert.

Samsung plant, die in Taylor gefertigten Basis-Dies mit in Südkorea produziertem DRAM zu kombinieren. DRAM ist der Arbeitsspeicher, der Informationen vorübergehend bereithält, während ein Computersystem läuft. Die geplante Produktionskette würde somit die Logikfertigung in den USA mit der Speicherproduktion in Südkorea verbinden.

Die HBM4-Produkte von Samsung, die sich in der Massenproduktion befinden, und die HBM4E-Muster verwenden derzeit Basis-Dies aus einem 4-Nanometer-Verfahren, heißt es aus Branchenkreisen. Taylor Fab 2 soll auf 2 Nanometer umsteigen; für künftige Produkte könnten auch fortschrittlichere Verfahren zum Einsatz kommen. Diese Bezeichnungen stehen für Generationen von Fertigungstechnologie, mit denen sich immer komplexere Schaltkreise auf kleinerem Raum unterbringen lassen.

Die Bauarbeiten sind bis 2030 angesetzt

Taylor Fab 2 soll rund 250.000 Quadratmeter umfassen und damit etwa 1,5-mal so groß sein wie das erste Werk in Taylor. Berichten zufolge laufen bereits die Erschließung des Geländes und die Einebnung des Bodens. Die umfangreichen Bauarbeiten sollen Anfang November 2026 beginnen.

Der Zeitplan unterscheidet zwischen dem Beginn der Bauarbeiten, der Installation der Fertigungsanlagen und der späteren Produktion verkaufsfähiger Chips. Chipwerke benötigen nach der Errichtung ihrer Gebäude umfangreiche Ausrüstung sowie eine Vorbereitung der Fertigungsprozesse.

• März 2026: Der Stadtrat von Taylor genehmigte technische Unterstützung für Genehmigungen im Zusammenhang mit dem zweiten Werk.
• Anfang November 2026: Die umfangreichen Bauarbeiten an Taylor Fab 2 sollen beginnen.
• 2027: Das erste Werk in Taylor soll die Massenproduktion aufnehmen.
• Februar 2029: Die Installation der Anlagen im zweiten Werk soll beginnen.
• 2030: Taylor Fab 2 soll die Massenproduktion aufnehmen.

Das zweite Werk soll erst mehrere Jahre nach dem aktuellen Wettlauf um KI-Speicher in Betrieb gehen. Es soll Samsung einen Platz in späteren Produktgenerationen sichern, bei denen der Basis-Die voraussichtlich anspruchsvollere Schaltkreise enthalten wird.

Warum AMD für den geplanten Ausbau wichtig ist

AMD soll den Großteil der gemeldeten Reservierungen für Taylor Fab 2 ausmachen. Branchenkreisen zufolge könnte allein der Bedarf des Unternehmens die geplante Kapazität des Werks stark beanspruchen. Damit wäre AMD ein zentraler Kunde für Samsungs geplanten Ausbau.

Samsung will sein integriertes Fertigungsmodell für kundenspezifischen HBM beibehalten, den das Unternehmen an AMD und andere Kunden liefert. Dabei würden Samsungs eigene Geschäftsbereiche sowohl die Speicher-Core-Dies als auch die Basis-Dies fertigen, statt Letztere von einer anderen Foundry zu beziehen.

Für Samsung könnte dieses Modell Umsätze sowohl in der Speicher- als auch in der Foundry-Sparte bringen. AMD würde sich mit einer reservierten Fertigungskapazität einen Platz im Produktionsplan sichern, während das KI-Chipgeschäft wächst. Welche konkreten Speicherdesigns von den gemeldeten Aufträgen für Taylor abgedeckt werden, ist nicht bekannt.

Die Zusammenarbeit ist Teil umfassenderer Bemühungen, den Datenzugriff von Prozessoren zu verbessern. Bei seinen Präsentationen zur KI-Infrastruktur im Oktober 2026 stellte Samsung eine Kooperation mit AMD zum Speicher-Pooling sowie kundenspezifischen HBM und weitere Speichertechnologien vor. Der Taylor-Plan betrifft einen anderen Teil dieser Bemühungen: die Fertigung des Siliziums unter künftigen HBM-Stapeln.

Warum Nvidia von Zulieferern TSMC verlangt

Nvidias gemeldete Fertigungsvorgabe würde TSMC in eine Phase der HBM-Produktion einbeziehen, die Samsung traditionell intern erledigt hat. Branchenberichte vom 18. Oktober 2026 zufolge forderte Nvidia Samsung, SK hynix und Micron auf, für die Basis-Dies von NVHBM TSMCs 3-Nanometer-Verfahren zu verwenden. Für die Speicher-Core-Dies soll zugleich die sechste Generation der DRAM-Fertigungstechnologie zum Einsatz kommen.

Nvidia will, dass sich der Speicher seiner Zulieferer einheitlicher verhält. Ein gemeinsames Fertigungsverfahren für den Basis-Die könnte Unterschiede zwischen den Produkten verringern und den technischen Aufwand dafür senken, Speicher jedes Herstellers für den Einsatz mit Nvidia-Prozessoren zuzulassen.

Samsung soll die Vorgabe nach einer internen Prüfung akzeptiert haben. Damit wird die frühere Zusammenarbeit mit TSMC, bei der es vor allem darum ging, Samsungs Speicher mit TSMCs Chip-Packaging-Technologie kompatibel zu machen, auf die Fertigung einer wesentlichen HBM-Komponente ausgeweitet.

Die im Oktober beschriebene Vorgabe von Nvidia für Basis-Dies erklärt, warum Samsungs Pläne für Texas und die Nutzung von TSMC gleichzeitig möglich sind. Samsung kann Nvidia Speicher mit einem TSMC-Basis-Die liefern und zugleich anderswo eigene Fertigungsaufträge anstreben.

NVHBM verlagert mehr Steuerungsschaltungen in den Speicher

NVHBM verändert die Aufgabenverteilung zwischen dem Hauptprozessor und dem danebenliegenden Speicher. Beim Design wird der Speichercontroller, der den Datenverkehr steuert, von der Grafikprozessoreinheit in den HBM-Basis-Die verlagert.

Nvidia erhält dadurch auf dem Hauptprozessor mehr Platz für Rechenschaltungen. Der Basis-Die übernimmt eine größere Rolle, wodurch seine Fertigungstechnologie für das Gesamtsystem wichtiger wird. Die zusätzliche Logik auf begrenztem Raum unterzubringen, ist ein Grund für den Einsatz eines fortschrittlichen Fertigungsverfahrens.

Auch die Fertigungsausbeute beeinflusst Kosten und Versorgung. Sie bezeichnet den Anteil der auf einem Siliziumwafer gefertigten Chips, der den erforderlichen Standard erfüllt. Branchenschätzungen zufolge liegt TSMCs Ausbeute bei 3 Nanometern bei über 90 Prozent, verglichen mit rund 60 Prozent bei Samsungs 2-Nanometer-Verfahren. Die Schätzungen beziehen sich auf unterschiedliche Verfahren, veranschaulichen aber, warum ein Prozess attraktiv ist, bei dem ein hoher Anteil brauchbarer Chips entsteht.

Samsung prüft zudem, NVHBM-Basis-Dies mit der eigenen Fertigungstechnologie herzustellen. Damit könnte das Unternehmen eine Alternative anbieten, falls die Nachfrage die Kapazität von TSMC übersteigt. Nvidias gemeldete Präferenz für TSMC bedeutet, dass eine mögliche Rolle des Werks in Taylor als Zulieferer für Nvidia von künftigen Beschaffungsentscheidungen abhängt. Konventioneller HBM und NVHBM könnten nebeneinander bestehen, während Nvidia weiterhin mehrere Prozessorgenerationen verkauft.

Die Speichernachfrage wächst schneller als das Angebot

UBS prognostiziert für 2027 einen HBM-Bedarf von rund 61,5 Milliarden Gigabit, ein Plus von 91 Prozent gegenüber dem Vorjahr. Erwartete Lieferungen von etwa 54,6 Milliarden Gigabit würden eine Lücke von 6,9 Milliarden Gigabit lassen, also rund 11 Prozent der prognostizierten Nachfrage.

Diese Zahlen beziehen sich auf die Speichermenge, nicht auf die Anzahl fertiger HBM-Stapel. Der Vergleich zeigt, warum Prozessorhersteller sich Fertigungskapazitäten lange vor der Inbetriebnahme eines neuen Werks sichern wollen.

Der Produktionsstart von Nvidias Vera Rubin sorgt für eine weitere kurzfristige Nachfragequelle für fortschrittlichen Speicher. Samsung, SK hynix und Micron konkurrieren darum, HBM4 für diese Plattform zu liefern, und entwickeln zugleich die nächsten Generationen.

Das für Taylor Fab 2 anvisierte Jahr 2030 liegt deutlich nach dem in der UBS-Prognose beschriebenen Engpass. Das Werk soll einen späteren Markt bedienen, der von weiterem Wachstum im KI-Computing und Veränderungen beim Speicherd design geprägt sein wird. Samsungs Plan ist somit sowohl eine Investition in Kapazitäten als auch eine Entscheidung darüber, welche Teile künftiger Speichersysteme das Unternehmen selbst fertigen will.

Das erste Werk in Taylor bildet den Ausgangspunkt

Das erste Werk von Samsung in Taylor soll 2027 die Produktion aufnehmen, drei Jahre vor der zweiten Anlage. Tesla wird als Hauptkunde genannt. Einem Bericht zufolge wurde eine Vereinbarung über 16,5 Milliarden US-Dollar für Chips der Typen AI5 und AI6 geschlossen.

Die gemeldeten Investitionen für das erste Werk sind von 17 auf 37 Milliarden US-Dollar gestiegen. Das Projekt umfasst zudem Fördermittel von 4,75 Milliarden US-Dollar aus dem US-amerikanischen CHIPS Act. Das gesamte Gelände in Taylor umfasst 1.268 Acres und bietet Platz für bis zu zehn Werke.

Die beiden Werke sollen unterschiedliche Aufgaben auf dem Gelände übernehmen. Das erste ist mit der Fertigung von KI-Prozessoren verbunden, während das zweite auf Logikkomponenten für fortschrittliche Speicher ausgerichtet ist. Für Kunden würde sich damit das Angebot an KI-bezogenem Silizium erweitern, das Samsung in den USA herstellen kann.

Südkorea bliebe Teil der geplanten HBM-Produktionskette, da Samsung den DRAM dort fertigen will. Durch den Ausbau in Texas würde sich die Produktion auf beide Länder verteilen: Amerikanische Basis-Dies würden mit koreanischem Speicher kombiniert.

Samsung will das Foundry-Geschäft stärken

Samsung zufolge profitierte der Umsatz der Foundry-Sparte im dritten Quartal von Verkäufen von HBM-Logik-Dies und von Aufträgen für fortschrittliche 2-Nanometer-Chips großer Cloud-Anbieter und anderer KI-Kunden. Dennoch schrieb der Geschäftsbereich weiterhin Verluste.

Das Unternehmen rechnet für 2026 mit einem Wachstum der 2-Nanometer-Aufträge um mehr als 130 Prozent. Kiwoom Securities erwartet, dass die Foundry-Sparte im vierten Quartal wieder in die Gewinnzone zurückkehrt. Ein vollständig reserviertes zweites Werk in Taylor würde diese Erholung unterstützen, indem es Samsung eine längerfristige Produktionspipeline sichert.

Andere mögliche Kunden befinden sich noch in einem früheren Stadium. Branchenbeobachter nennen Broadcom als möglichen Abnehmer von HBM-Basis-Dies aus Taylor. Zudem verfolgt Samsung über das taiwanische Unternehmen Faraday, einen Entwickler kundenspezifischer Chips, ein mögliches 2-Nanometer-KI-Chipprojekt für einen US-amerikanischen Cloud-Anbieter. Fertigungsaufträge für dieses Projekt wurden bislang nicht bestätigt.

Die gemeldete Nachfrage von AMD gibt dem Vorhaben in Texas den klarsten Kundenfokus. Nvidia bietet eine komplexere Geschäftschance, da die Anforderungen des Unternehmens derzeit auf TSMC als Hersteller der Basis-Dies verweisen. Samsung muss die Nachfrage nach seinen Speichern in zusätzliche Aufträge für die eigenen Werke umwandeln und zugleich die jeweiligen Design- und Fertigungsvorgaben der Kunden erfüllen.

Die wichtigsten Punkte

• Samsung plant, im zweiten Werk in Taylor HBM-Basis-Dies mit einem 2-Nanometer-Verfahren zu fertigen. Die Massenproduktion soll 2030 beginnen.
• Branchenkreisen zufolge ist die gesamte geplante Kapazität reserviert, größtenteils für AMD. Samsung hat den Bericht nicht bestätigt.
• Die umfangreichen Bauarbeiten sollen Anfang November 2026 beginnen. Ab Februar 2029 soll die Installation der Anlagen folgen.
• Samsung plant, in Texas gefertigte Basis-Dies mit in Südkorea produziertem DRAM zu kombinieren.
• Nvidia soll seine drei großen HBM-Zulieferer aufgefordert haben, für NVHBM-Basis-Dies TSMCs 3-Nanometer-Verfahren zu nutzen.
• UBS prognostiziert für 2027 einen HBM-Bedarf von 61,5 Milliarden Gigabit und erwartete Lieferungen von 54,6 Milliarden Gigabit.
• Der Ausbau würde Samsungs Bemühungen unterstützen, mehr Aufträge für fortschrittliche Fertigung zu gewinnen, während die Foundry-Sparte auf die Rückkehr in die Gewinnzone hinarbeitet.