CXMT plant Einführung von 4F2-Serverspeicher für 2026, während Samsung die Produktion für 2028 anpeilt

Kleinere Speicherzelle, ehrgeiziger Zeitplan

ChangXin Memory Technologies (CXMT), Chinas größter Speicherchiphersteller, plant, bis Ende 2026 DDR5-Serverspeicher mit Registerpuffer auf Basis einer 4F2-DRAM-Architektur einzuführen. Präsident Cao Kanyu stellte den Plan am 10. Oktober auf der vierten Konferenz für integrierte Schaltkreise und Chiplets in Shanghai vor. Damit hinterlegte das Unternehmen sein Vorhaben, mit Samsung Electronics, SK hynix und Micron zu konkurrieren, mit einem konkreten Produkt und einem festen Termin.

Die geplante Architektur verkleinert die Fläche einer einzelnen Speicherzelle gegenüber dem gängigen 6F2-Design auf 4F2. Bei gleicher minimaler Strukturbreite entspricht das einer theoretischen Verringerung der Zellfläche um ein Drittel. Dadurch könnte mehr Speicher auf einem Chip Platz finden. Der tatsächliche Zugewinn bei einem fertigen Produkt hängt jedoch von der Schaltung, den Fertigungsergebnissen und weiteren Designanforderungen ab.

CXMTs Termin liegt ungefähr zwei Jahre vor Samsungs kolportiertem Ziel, 2028 mit der Massenproduktion zu beginnen. Das ist noch kein Beleg für einen Fertigungsvorsprung von zwei Jahren. Ein Produkt einzuführen und es zuverlässig in großen Stückzahlen herzustellen, sind unterschiedliche Meilensteine. CXMT hat weder detaillierte Spezifikationen noch ein genaues Erscheinungsdatum oder Fertigungsausbeuten für den geplanten Serverspeicher bekannt gegeben.

Die Ankündigung ist von Bedeutung, weil sie auf Unternehmensserver zielt und nicht auf Verbrauchergeräte, in denen chinesische DRAM-Anbieter bereits Fuß gefasst haben. Serverkunden benötigen einen zuverlässigen Betrieb über lange Zeiträume. Die kommerzielle Akzeptanz ist daher eine eigene Bewährungsprobe, unabhängig davon, ob sich eine kleinere Zelle demonstrieren lässt.

Caos Ankündigung in Shanghai

Cao Kanyu, dessen Name in englischsprachigen Berichten auch als Chao Kanyu erscheint, sagte, Serverspeicher werde die erste Produktanwendung der neuen CXMT-Architektur sein. Auf der Konferenz in Shanghai kündigte er die geplante Einführung an:

Wir werden bis Ende des Jahres DDR5-RDIMM-Serverspeicher der nächsten Generation mit einer 4F2-DRAM-Struktur auf den Markt bringen.

RDIMM steht für Registered Dual Inline Memory Module. Diese Module verwenden ein Register, das Befehls- und Adresssignale puffert und Servern so anspruchsvolle Speicherkonfigurationen ermöglicht. DDR5 bezeichnet die Speichergeneration, 4F2 das zugrunde liegende Zelllayout. Die Ankündigung betrifft also eine neue Bauweise für die Chips in einer bekannten Kategorie von Serverspeicher und keinen Ersatz für den DDR5-Standard.

CXMT erklärte, wichtige Fertigungsschritte überarbeitet und einen eigenen vertikalen Gate-all-around-Transistor (VSG) entwickelt zu haben. Diese Angaben deuten auf Arbeiten hin, die über ein vorgeschlagenes Zelllayout hinausgehen. Sie belegen jedoch weder, wie viele verwendbare Chips das Verfahren hervorbringt, noch wie schnell die Produktion ausgeweitet werden kann oder ob Serverkunden die Qualifizierung abgeschlossen haben.

Berichte unterscheiden sich darin, wie verbindlich sie den Termin darstellen. Einige sprechen von einem geplanten Beginn der Massenproduktion gegen Jahresende, während Cao in dem zitierten Statement die Markteinführung eines Produkts zusagt. Solange keine Fertigungsmengen bekannt gegeben wurden, ist die konkretere Zusage einer Markteinführung die verlässlichere Grundlage für einen Vergleich mit den Wettbewerbern.

Was 4F2 in einem DRAM-Chip verändert

DRAM speichert Informationen in Zellen, die regelmäßig aufgefrischt werden müssen, damit ihre Daten erhalten bleiben. In der üblichen Angabe der Zellgröße steht F für die minimale Strukturbreite, die häufig als minimale Linienbreite beschrieben wird. Eine 4F2-Zelle belegt eine Fläche von 2F mal 2F. Eine 6F2-Zelle umfasst dagegen sechs Flächeneinheiten von F.

Die Rechnung macht den Anspruch greifbar: Der Wechsel von sechs auf vier Flächeneinheiten verkleinert den Platzbedarf der Zelle um etwa 33 Prozent. Wäre allein die Zellfläche entscheidend, könnten auf derselben Fläche 50 Prozent mehr Zellen untergebracht werden, denn sechs geteilt durch vier ergibt 1,5. Keine der beiden Zahlen ist als zugesicherte Verbesserung der Kapazität oder Geschwindigkeit von CXMTs fertigen Modulen zu verstehen.

Reale Chips benötigen außerdem Peripherieschaltungen, Verbindungen und Flächen, die durch Fertigungsgrenzen vorgegeben sind. Speichergeschwindigkeit, Stromverbrauch und Zuverlässigkeit hängen von mehr ab als von der Zahl der Zellen, die auf eine bestimmte Fläche passen. CXMT hat keine Messwerte veröffentlicht, anhand derer sich diese Produkteigenschaften mit aktuellem Server-DRAM vergleichen ließen.

Beim vorgeschlagenen VSG-Transistor verläuft der Kanal vertikal und wird vom Gate umschlossen. Das Gate steuert den Stromfluss durch den Transistor. CXMT zufolge trägt diese Bauweise dazu bei, unerwünschte Leckströme zu verringern und die Speicherdichte zu erhöhen. Sie könnte zudem die Energieeffizienz verbessern.

CXMT untersucht außerdem Hybrid Bonding, um Speicherzellen und Peripherielogik getrennt zu optimieren. Beim Hybrid Bonding werden Halbleiterstrukturen über sehr feine elektrische Verbindungen miteinander verbunden. Ziel sei es, dem Speicherarray und seiner unterstützenden Schaltung mehr Spielraum bei der Entwicklung zu geben. Aus den Berichten geht jedoch nicht hervor, ob dieses Verfahren bereits bei der ersten DDR5-RDIMM-Produkteinführung zum Einsatz kommen soll.

Samsung und SK hynix haben eigene Zeitpläne

Samsung Electronics und SK hynix forschen an 4F2-DRAM. In den Berichten über CXMTs Ankündigung hat jedoch keines der beiden Unternehmen eine verbindliche Zusage zur Massenproduktion gemacht. SK hynix legte 2025 eine verwandte Technologiestrategie vor. Samsung will Berichten zufolge die Entwicklung seines 10a-DRAM mit 4F2 im Jahr 2026 abschließen, 2027 Qualitätstests durchführen und 2028 die Massenproduktion aufnehmen.

Der Zeitplan von Samsung ist ein kolportiertes Entwicklungsziel und keine bestätigte Garantie. Er erklärt dennoch die Aufmerksamkeit für CXMTs geplante Markteinführung 2026: Das chinesische Unternehmen will ein kommerzielles Produkt auf den Markt bringen, bevor der derzeit mit dem größeren Rivalen verbundene Produktionstermin erreicht ist.

Tian Feng, Forscher an der Shanghai Jiao Tong University, sagte, die drei großen Speicherhersteller verfügten über Entwicklungspläne für 4F2 oder ähnliche 3D-DRAM-Technologien, hätten aber noch keine Kommerzialisierung im großen Maßstab erreicht. Seine Einschätzung stützt die Sichtweise, dass sich dieser Wettbewerb noch entwickelt und kein Hersteller bereits einen entscheidenden Vorsprung bewiesen hat.

Die gemeldeten Meilensteine erstrecken sich über mehrere Jahre:

• 2016: CXMT zufolge begann das Unternehmen bei seiner Gründung mit der Erforschung von 4F2.
• 2025: SK hynix legte eine Strategie für eine mit der 4F2-Technologie verwandte Entwicklung vor.
• August 2026: CXMT zufolge begann die Massenproduktion von LPDDR6-Mobilspeicher.
• September 2026: CXMT zufolge ging die DRAM-Fertigungsplattform der fünften Generation in die Massenproduktion.
• 10. Oktober 2026: Cao stellte den Plan für den Serverspeicher in Shanghai vor.
• Ende 2026: CXMT peilt die Einführung von DDR5-RDIMMs mit 4F2 an.
• 2027 und 2028: Samsung plant Berichten zufolge Qualitätstests und anschließend den Beginn der Massenproduktion.

Warum die Fertigungsausbeute den Wettbewerb entscheiden könnte

Die zentrale Herausforderung bei der Herstellung ist die Ausbeute, also der Anteil der auf einem Wafer gefertigten Chips, die den geforderten Spezifikationen entsprechen. Eine kleinere Zelle kann theoretisch attraktiv sein, aber teuer in der Fertigung bleiben, wenn zu viele Chips die Tests nicht bestehen. Bei Änderungen an Transistorgeometrie und Fertigungsschritten muss das Verfahren eine wirtschaftlich nutzbare Ausbeute erreichen.

Das ist bei einem Speichermangel besonders wichtig. Hersteller, die ein neues Verfahren einführen, riskieren während der Behebung von Fertigungsproblemen Einbußen bei der Zahl verwendbarer Chips, selbst wenn die Technologie letztlich Dichte oder Leistung verbessert. Etablierte Anbieter haben daher einen Grund, den Zeitpunkt des Wechsels gegen die Nachfrage nach ihren bestehenden Produkten abzuwägen.

Kim Jin-guk, ehemaliger Technikvorstand von SK hynix, bezeichnete die Produktionskapazität als unmittelbar wichtigste kommerzielle Priorität:

Da der aktuelle Speichermangel voraussichtlich anhalten wird, entwickelt sich der Markt in eine Richtung, in der Produktionskapazität wichtiger ist als technologische Leistungsfähigkeit.

Kim warnte zudem vor den Kosten bei der Einführung eines neuen Verfahrens:

Die Produktionsverluste während der Einführung neuer Technologien werden zwangsläufig erheblich sein.

Seine Äußerungen erklären, warum eine frühere Ankündigung nicht unbedingt eine stärkere Wettbewerbsposition bedeutet. Ein Unternehmen, das große Mengen zuverlässiger Speicherchips herstellen kann, bedient Kunden womöglich besser als ein Wettbewerber mit einem dichteren Design, das sich noch schwer fertigen lässt.

Der gemeldete Produktionsstart von CXMTs G5-Plattform im September zeigt Fortschritte bei einem weiteren Fertigungsmeilenstein. Er beweist für sich genommen jedoch nicht, dass das angekündigte 4F2-Serverprodukt einen vergleichbaren Reifegrad erreicht hat. Das Unternehmen hat den Zusammenhang zwischen diesen Produktionsangaben nicht detailliert genug erläutert, um eine solche Schlussfolgerung zu ziehen.

Serverkunden stellen eine eigene Bewährungsprobe dar

Samsung, SK hynix und Micron nehmen bei Server-DRAM führende Positionen ein, während CXMT sich stärker auf Unterhaltungselektronik konzentriert hat. CXMT zufolge stieg der Anteil des Servergeschäfts im ersten Halbjahr 2026. Die Berichte nennen jedoch weder den Umsatz noch den Marktanteil dieses Geschäftsbereichs.

Damit bleibt ein wichtiger Unterschied zwischen dem Einstieg in den Servermarkt und dem Gewinn einer beträchtlichen Nachfrage. Kunden benötigen Speicher, der in ihren Systemen auch unter dauerhafter Belastung zuverlässig funktioniert. Neben der Chipdichte zählen daher auch Produktqualifizierung, verlässliche Lieferungen und gleichbleibende Leistung.

Die Ankündigung belegt außerdem keinen Durchbruch bei High-Bandwidth Memory (HBM), das häufig zusammen mit fortschrittlichen Rechenprozessoren eingesetzt wird. DDR5-RDIMMs und HBM erfüllen unterschiedliche Speicherfunktionen. Fortschritte beim geplanten Serverprodukt sind daher kein Beweis dafür, dass CXMT seinen kolportierten technologischen Rückstand bei HBM aufgeholt hat.

Die Schätzungen dazu, wie weit China bei herkömmlichem DRAM hinter Südkorea liegt, unterscheiden sich. Einige Berichte beziffern den Rückstand auf ein bis zwei Jahre, andere auf zwei bis drei Jahre. Den HBM-Rückstand verorten die Berichte überwiegend bei mindestens drei Jahren. Dabei handelt es sich um Brancheneinschätzungen, nicht um Messungen auf Grundlage veröffentlichter, vergleichbarer Produkttests.

Patente und Ausrüstung prägen den größeren Wettbewerb

CXMT zufolge hat das Unternehmen mehr als 300 Patentfamilien zu 4F2 veröffentlicht und erforscht die Architektur seit 2016. Eine Patentfamilie bündelt zusammengehörige Anmeldungen, die eine Erfindung über verschiedene Anmeldungen oder Rechtsräume hinweg schützen. Die Zahl deutet auf ein umfangreiches beanspruchtes geistiges Eigentum hin, ist aber nicht gleichbedeutend mit 300 jeweils nachgewiesenen Fortschritten in der Fertigung.

Cao behauptete außerdem, CXMT verfüge über mehr einschlägige Patente als die Wettbewerber im In- und Ausland. Ein vergleichender Patentdatensatz zur Überprüfung dieser Rangfolge liegt nicht vor. Für den kommerziellen Erfolg wird entscheidender sein, ob sich die Designs fertigen lassen, die daraus entstehenden Produkte den Kundenanforderungen entsprechen und in großem Maßstab geliefert werden können.

Der Zugang zu Ausrüstung bleibt eine weitere Einschränkung. CXMT kann den Berichten zufolge keine extrem ultraviolette Lithografieausrüstung von ASML nutzen, die als EUV bekannt ist. EUV hilft Herstellern, äußerst kleine Strukturen abzubilden. Ihr Fehlen erhöht die Unsicherheit auf CXMTs Weg zu wirtschaftlich nutzbaren Fertigungsausbeuten.

Einige Branchenkommentare gehen davon aus, dass EUV bei der künftigen Fertigung von 3D-DRAM eine geringere Rolle spielen wird. Diese Erwartung bezieht sich auf eine spätere Architektur und beseitigt nicht die Fertigungsprobleme des angekündigten Produkts. Ein vertikaler Transistor in einer 4F2-Zelle bedeutet auch nicht automatisch, dass mehrere DRAM-Zellschichten übereinandergestapelt werden.

Weitere gemeldete Entwicklungen in China erklären die Besorgnis koreanischer Hersteller. Huawei hat die Technologie des Logic Folding beworben, während Berichten zufolge Samsung Lizenzgebühren für die Nutzung von YMTCs Xtacking-Bonding-Technologie zahlt. Dabei geht es um unterschiedliche Technologien und Unternehmen; die Vorgänge können CXMTs Angaben zu seinem Serverspeicher daher nicht bestätigen.

Ein am 5. Oktober bekannt gegebenes, gemeldetes Patentlizenzabkommen zwischen Huawei und Qualcomm umfasst 5G, Computing, künstliche Intelligenz und Netzwerktechnik. Es veranschaulicht die größere Rolle geistigen Eigentums aus China in der Branche, ist aber weder eine DRAM-Vereinbarung noch ein Beleg für die Fertigungsreife von 4F2.

Was vor dem Termin noch unbewiesen ist

Die finanzielle Expansion von CXMT liefert weiteren Kontext für den Entwicklungsschub. Berichten zufolge brachte der Aktienverkauf im Juli rund 8,6 Milliarden US-Dollar beziehungsweise etwa 66,61 Milliarden Yuan ein. Am ersten Handelstag stieg der Aktienkurs um 466 Prozent. Diese Zahlen zeigen eine umfangreiche Finanzierung und großes Anlegerinteresse, nicht aber die technische Validierung des geplanten Speicherprodukts.

Die unmittelbare Reaktion der Aktienkurse etablierter Anbieter fiel verhalten aus: In den gemeldeten Handelszeiten sank Micron im nachbörslichen Handel um etwa 1 Prozent, während SK hynix im heimischen Handel 0,8 Prozent verlor. Auch breitere Verkäufe im Halbleitersektor und Sorgen über die Ausgaben für künstliche Intelligenz spielten eine Rolle. Die Kursbewegungen lassen sich daher nicht allein auf CXMTs Ankündigung zurückführen.

Der nächste genannte Termin ist Ende 2026. Ein direkter Wettbewerbsvergleich wird erst möglich, wenn CXMT mehr als nur ein Erscheinungsdatum nennt: Angaben zu Modulspezifikationen, Produktionsumfang und Kundenqualifizierung sowie Nachweise für einen zuverlässigen Betrieb würden die kommerzielle Bedeutung der Ankündigung besser belegen.

Vorerst hat CXMT ein früheres Produktziel als Samsungs kolportierten Fertigungszeitplan gesetzt und einen konkreten architektonischen Ansatz beschrieben. Ob daraus ein Vorteil bei Serverspeicher entsteht, hängt von der Zahl verwendbarer Chips und der Akzeptanz bei den Kunden ab, nicht allein vom Zeitplan.

Die wichtigsten Punkte

• CXMT plant, bis Ende 2026 DDR5-Serverspeicher mit Registerpuffer auf Basis von 4F2-DRAM einzuführen.
• Eine 4F2-Zelle ist bei gleicher minimaler Strukturbreite theoretisch ein Drittel kleiner als eine 6F2-Zelle.
• CXMT zufolge verringert der vertikale Gate-all-around-Transistor Leckströme und ermöglicht eine höhere Dichte.
• Samsung peilt Berichten zufolge die Massenproduktion für 2028 an; SK hynix legte 2025 eine verwandte Entwicklungsstrategie vor.
• CXMT hat weder detaillierte Produktspezifikationen und Fertigungsausbeuten noch ein genaues Einführungsdatum bekannt gegeben.
• Eine frühere Markteinführung würde für sich genommen weder einen Vorsprung bei der Massenfertigung noch eine höhere Akzeptanz bei Serverkunden belegen.