Koreas Dominanz bei Speicherchips gerät durch die Fortschritte des chinesischen Unternehmens CXMT unter Druck

Der unsichtbare Kampf um die Vorherrschaft beim KI-Speicher

Die globale Halbleiterindustrie erlebt eine dramatische Verschiebung der Kräfteverhältnisse: China fordert Südkoreas langjährige Vormachtstellung bei der Herstellung von Speicherchips so massiv heraus wie nie zuvor. Jahrzehntelang beherrschten die koreanischen Giganten Samsung Electronics und SK Hynix gemeinsam mit dem US-Konkurrenten Micron Technology mehr als 90 Prozent des globalen DRAM-Marktes. So entstand eine Festung technologischen Know-hows, die uneinnehmbar schien. Doch diese Dominanz steht nun vor ihrer bislang härtesten Bewährungsprobe: durch einen ehrgeizigen heimischen Herausforderer, der mit Milliarden an staatlichem Kapital unterstützt wird und von geopolitischem Druck angetrieben ist.

ChangXin Memory Technologies (CXMT), erst vor gut einem Jahrzehnt, im Jahr 2016, gegründet, hat sich zum Vorreiter Chinas im Speichersektor entwickelt. Das Unternehmen stieg rasch von einer unbedeutenden Position auf einen Anteil von etwa 4 bis 5 Prozent am globalen DRAM-Markt. 2025 erzielte es erstmals einen Gewinn und bereitet nun einen milliardenschweren Börsengang im Volumen von 4,2 Milliarden US-Dollar an der Shanghaier Börse vor. Das signalisiert sowohl die wirtschaftliche Tragfähigkeit des Unternehmens als auch seine strategische Bedeutung für das Land. Diese Finanzmanöver finden vor dem Hintergrund des sich verschärfenden Technologiewettbewerbs zwischen Washington und Peking statt, in dem Speicherchips zu kritischen Engpässen in der Lieferkette für künstliche Intelligenz geworden sind.

Trotz des wachsenden Drucks sind Branchenexperten der Ansicht, dass Koreas technologischer Vorsprung weiterhin erheblich ist, insbesondere bei Hochbandbreitenspeichern (HBM), die für das Training großer Sprachmodelle und den Betrieb fortschrittlicher KI-Anwendungen unverzichtbar sind. Koreanische Chiphersteller brachten 2020 als Erste DDR5-Speicher auf den Markt und liefern derzeit HBM3E-Produkte der fünften Generation an wichtige KI-Kunden aus, während sie bereits die nächste Generation HBM4 vorbereiten. Analysten schätzen den Vorsprung auf etwa zwei bis drei Jahre bei Standard-DRAM und drei bis vier Jahre bei den komplexeren HBM-Stapeltechnologien.

Chinas Speicherchampion wächst dank staatlicher Unterstützung

Der Aufstieg von CXMT wurde durch eines der weltweit größten Halbleiterförderprogramme ermöglicht: den staatlich geführten Nationalen Investitionsfonds für die integrierte Schaltkreisindustrie, allgemein als „Big Fund“ bekannt. Mit einem kumulierten Kapital von mehr als 690 Billionen Yuan (etwa 95 Milliarden US-Dollar) steht diese Initiative für Pekings Entschlossenheit, angesichts des zunehmenden Technologiewettbewerbs mit den USA die Eigenversorgung mit Halbleitern zu erreichen. Die 2024 gestartete dritte Phase des Fonds richtet sich gezielt auf fortschrittliche KI-Chips und die Entwicklung von HBM sowie auf die allgemeine Stärkung der Lieferketten.

Gemessen an historischen Maßstäben ist der technologische Fortschritt des Unternehmens bemerkenswert. Laut seinem Börsenprospekt ist CXMT innerhalb weniger Jahre von der frühen Entwicklungsphase zur Massenfertigung übergegangen. Vor Kurzem kündigte das Unternehmen die Massenproduktion von DDR5- und LPDDR5X-Speicherprodukten für PCs, Server und Mobilgeräte an. Im HBM-Bereich startete CXMT Ende 2024 die Massenproduktion von HBM2. Das Unternehmen strebt an, bis 2026 Produkte der HBM3-Klasse und möglicherweise bis 2027 HBM3E herzustellen. Damit würde sich der Abstand zu den globalen Marktführern auf drei bis vier Jahre verringern.

Unabhängige Analysen von TechInsights bestätigen, dass CXMT derzeit DRAM mit den Prozessknoten D1y und D1z herstellen kann, was etwa 17 bis 13 Nanometern entspricht. Die DDR5-Speicherdichte ist mit den Angeboten der globalen Marktführer aus dem Jahr 2021 vergleichbar. Berichten zufolge entwickelt das Unternehmen Prozessknoten unter 15 Nanometern (D1α und D1β), die für die HBM3E-Produktion erforderlich sind. Dabei könnte CXMT dem Beispiel von Micron aus dem Jahr 2021 folgen, dem es gelang, D1α ohne extreme Ultraviolettlithografie herzustellen.

Lee Jong-hwan, Professor für Systemhalbleitertechnik an der Sangmyung-Universität, weist darauf hin, dass Chinas strategische Ziele über den kurzfristigen wirtschaftlichen Erfolg hinausgehen.

Der technologische Abstand zu China ist offensichtlich. Doch Chinas oberstes Ziel ist keine kurzfristige Rentabilität. Seine Ambitionen im Chipbereich sind unmittelbar mit dem Wettbewerb mit den USA verknüpft, auch bei KI und militärischen Fähigkeiten.

Das technologische Gefälle im Detail

Die genauen Dimensionen des technologischen Abstands zeichnen ein komplexes Bild aus Fortschritten und Grenzen. Bei der Standard-DRAM-Fertigung sind die koreanischen und globalen Marktführer zu Prozessknoten der fünften und sechsten Generation in der 10-Nanometer-Klasse übergegangen, bekannt als 1b und 1c. Sie ermöglichen eine höhere Dichte und eine bessere Energieeffizienz. Chinesische Unternehmen arbeiten derzeit hauptsächlich mit dem Prozessknoten 1z, einer früheren Generation der Technologie unter 20 Nanometern, die geringere Ausbeuten und höhere Produktionskosten mit sich bringt.

Dieser Unterschied bei den Prozessknoten verschafft koreanischen Herstellern deutliche Wettbewerbsvorteile. Chips der Knoten 1b und 1c bieten bei geringerem Stromverbrauch eine höhere Leistung und lassen sich in großem Maßstab kostengünstiger herstellen. Diese Vorteile verstärken sich mit jeder Produktgeneration. Die Nationale Ingenieurakademie Koreas schätzt den Vorsprung auf etwa zwei bis drei Jahre. Damit hat er sich gegenüber dem zuvor beobachteten Rückstand von einem Jahrzehnt verringert, ist in einer Branche, in der jede Generation erhebliche Effizienzgewinne bringt, aber weiterhin beträchtlich.

Bei NAND-Flash-Speichern scheint der Abstand geringer, ist aber immer noch deutlich. Die Marktführer Samsung und SK Hynix fertigen derzeit massenhaft Chips mit 286 bis 321 Schichten, die zu den fortschrittlichsten Angeboten der Branche zählen. Chinesische Hersteller, allen voran Yangtze Memory Technologies (YMTC), haben ihre Produktion auf NAND-Chips mit 232 Schichten hochgefahren. Bemerkenswert ist, dass YMTC eine Hybrid-Bonding-Technologie entwickelt hat, die in bestimmten Anwendungen als fortschrittlicher gilt als die seiner koreanischen Wettbewerber. Das zeigt, dass Chinas Fortschritte zwar ungleichmäßig sind, aber in einzelnen technischen Bereichen echte Durchbrüche umfassen.

Bei Hochbandbreitenspeichern ist der Abstand erheblich größer; hier ist Koreas Dominanz am ausgeprägtesten. Bei der HBM-Produktion werden DRAM-Chips technisch anspruchsvoll übereinandergestapelt und mit Silizium-Durchkontaktierungen verbunden, um Leistung und Energieeffizienz zu steigern. Dieser Bereich gilt allgemein als höchste Hürde in der Speicherchipfertigung. CXMT hat zwar angekündigt, in diesen Markt einsteigen zu wollen, doch koreanische Chiphersteller liefern bereits HBM3E in großem Maßstab aus und bereiten die Einführung von HBM4 vor. Ihr Vorsprung beruht weniger auf den Schlagzeilen bestimmenden Prozessknoten als auf präzisem Stapeln, Wärmeregulierung und stabilen Produktionsausbeuten, die durch jahrelange enge Zusammenarbeit mit Entwicklern von KI-Chips optimiert wurden.

Industriespionage und der Schutz von Geschäftsgeheimnissen

Der Wettbewerbsdruck hat zu spektakulären juristischen Auseinandersetzungen um den Schutz geistigen Eigentums geführt. Am 26. Dezember 2025 erhob die südkoreanische Staatsanwaltschaft Anklage gegen zehn Personen, darunter frühere Führungskräfte und Ingenieure von Samsung Electronics. Ihnen wird vorgeworfen, CXMT Geschäftsgeheimnisse zur fortschrittlichen DRAM-Fertigung mit 10-Nanometer-Technologie zugespielt zu haben. Fünf Verdächtige befinden sich weiterhin in Untersuchungshaft; fünf weitere wurden angeklagt, aber gegen Kaution freigelassen. Der Fall zählt zu den bedeutendsten Fällen von Industriespionage in der Geschichte Koreas.

Nach Angaben der Bezirksstaatsanwaltschaft Seoul Central übernahmen die Beschuldigten nach ihrem Weggang von Samsung wichtige Positionen in Forschung und Entwicklung bei CXMT. Die Ermittler stellten fest, dass ein ausscheidender Forscher Hunderte Schritte proprietärer DRAM-Prozessinformationen handschriftlich kopierte und dabei kritische Einzelheiten zu Prozessabläufen, Gerätespezifikationen und der Optimierung der Produktionsausbeute festhielt. Mit diesen handschriftlichen Notizen soll der Fertigungsablauf von Samsung bei CXMT nachgebildet und angepasst worden sein. So konnte das chinesische Unternehmen 2023 als erster heimischer Hersteller DRAM-Chips mit 18 Nanometern fertigen.

Die Staatsanwaltschaft beziffert den wirtschaftlichen Schaden für Samsung allein für 2024 auf rund fünf Billionen Won (3,56 Milliarden US-Dollar an entgangenen Umsätzen). Langfristig könnten sich die Folgen auf Dutzende Billionen Won belaufen. Die Ermittlungen ergaben, dass CXMT über einen Zulieferer weitere DRAM-Technologie von SK Hynix erhielt, was die Entwicklung zusätzlich beschleunigte. Berichten zufolge beziehen die angeklagten Personen bei CXMT Jahresgehälter, die drei- bis fünfmal so hoch sind wie ihre früheren Einkünfte bei Samsung und mehrere Milliarden Won pro Jahr erreichen.

Shim Dae-yong, Professor an der Dong-A-Universität, der 26 Jahre lang das DRAM-Geschäft bei SK Hynix leitete, betont, dass Kapital allein technologische Hürden nicht überwinden kann.

Das Halbleitergeschäft lässt sich nicht allein mit Geld meistern. Wegen der schnellen Innovationszyklen der Branche verlieren ältere Technologien nach ihrem Höhepunkt rasch an Bedeutung. Dadurch sind die langfristigen wirtschaftlichen Auswirkungen einer Dominanz in niedrigeren Marktsegmenten begrenzt.

Marktanteilskämpfe und Preisdruck

Die Wettbewerbsdynamik verändert die Marktstrukturen spürbar. Nach Daten von Counterpoint Research für das dritte Quartal 2025 lag SK Hynix beim gesamten DRAM-Umsatz mit einem Marktanteil von 34 Prozent vorn. Samsung folgte mit 33 Prozent knapp dahinter, Micron kam auf 26 Prozent. CXMT steigerte seinen Anteil rasch auf 5 Prozent, gegenüber 3 Prozent Ende 2024. Das ist ein erheblicher Zuwachs in einem etablierten Markt.

Im strategisch wichtigen HBM-Segment hält SK Hynix einen Marktanteil von 57 Prozent, während Samsung auf 22 Prozent zulegte und Micron 21 Prozent erreicht. Samsung konnte seinen Anteil steigern, nachdem das Unternehmen in der ersten Jahreshälfte mit Exportbeschränkungen nach China zu kämpfen hatte. Das zeigt, wie stark geopolitische Kontrollen die Märkte beeinflussen können. Berichten zufolge sind die HBM-Lieferanten bis 2026 ausverkauft, da die Nachfrage durch KI weiter steigt.

CXMT setzt auf aggressive Preise, um Marktanteile zu gewinnen, und bietet DDR4-DRAM-Chips für fast die Hälfte des Preises etablierter Wettbewerber an. Dieser Preiswettbewerb setzt die Margen von Samsung, SK Hynix und Micron unter Druck, kommt aber nachgelagerten Abnehmern zugute. Laut Analysen zerlegter Chips erreichen CXMTs 16-Gigabit-DDR5-Produkte eine ähnliche Bitdichte wie Microns Angebote von 2021. Sie haben allerdings größere Chipflächen und nicht verifizierte Ausbeuten, was wahrscheinlich zu höheren Fertigungskosten führt.

Die Nachfrage begünstigt eine Ausweitung der Produktion: Chinesische Cloud-Anbieter wie Tencent, Baidu und Alibaba werden 2025 voraussichtlich zusammen 31,98 Milliarden US-Dollar ausgeben. Das entspricht einem Anstieg von fast 40 Prozent gegenüber 2024. Südkoreas Halbleiterexporte legten 2025 dank des KI-Booms im Jahresvergleich um 22,2 Prozent auf den Rekordwert von 173,4 Milliarden US-Dollar zu, obwohl sich der Wettbewerb verschärft.

Geopolitische Kontrollen und Engpässe bei der Ausrüstung

Das Technologierennen findet in einem zunehmend engmaschigen Geflecht aus Exportkontrollen und Beschränkungen aus Gründen der nationalen Sicherheit statt. Im Dezember 2024 legten die USA neue Exportkontrollpakete vor, die Chinas Zugang zu Hochbandbreitenspeichern und zu für die HBM-Produktion notwendiger Halbleiterfertigungsausrüstung gezielt einschränken. Die Regelungen setzten mehr als 140 chinesische Chiphersteller und Ausrüster auf die Entity List des US-Handelsministeriums. Damit soll Chinas KI-Entwicklung über den Engpass bei HBM begrenzt werden.

Die Beschränkungen stellen CXMT unmittelbar vor betriebliche Herausforderungen. Wartungskräfte US-amerikanischer Halbleiterausrüster, die beim Unternehmen vor Ort tätig waren, wurden angewiesen, das Land zu verlassen. Das beeinträchtigt die Entwicklungszeitpläne für DRAM und HBM. CXMT hat zwar ausreichend Ausrüstung eingelagert, um den Betrieb bis 2026 oder 2027 aufrechtzuerhalten. Die bestehenden Exportkontrollen erschweren jedoch die Weiterentwicklung und den Ausbau der fortschrittlichen Produktion über die derzeitigen Prozessknoten hinaus, solange der Zugang zu EUV-Lithografiesystemen fehlt.

China arbeitet weiter an der Entwicklung eigener EUV-Technologie. Berichten zufolge wurde ein Prototyp fertiggestellt, mit dem bis 2028 funktionsfähige Chips hergestellt werden sollen. Analysten rechnen allerdings erst um 2030 mit einer kommerziellen Produktion. Ohne Zugang zu EUV könnte CXMT vor ähnlichen Schwierigkeiten stehen wie andere chinesische Auftragsfertiger: bei der Verbesserung der Ausbeute und der Verringerung der Chipflächen für Prozessknoten unter 15 Nanometern. Das könnte die Fähigkeit des Unternehmens einschränken, mit der Effizienz koreanischer und US-amerikanischer Wettbewerber gleichzuziehen.

Auch der Zugang zu globalen Märkten ist begrenzt. Anfang 2026 steht CXMT zwar noch nicht auf der Entity List, doch Washington erwägt Berichten zufolge seit Januar, das Unternehmen aufzunehmen. Das würde seine Geschäftstätigkeit erheblich gefährden. Selbst ohne eine Aufnahme auf die Liste halten der technologische Abstand und die geopolitischen Spannungen ausländische Unternehmen davon ab, CXMTs HBM für ihre KI-Beschleuniger einzusetzen. Trotz seiner technologischen Fortschritte bleibt das Unternehmen daher weitgehend auf chinesische Kunden beschränkt.

Die wichtigsten Punkte

• Die südkoreanischen Unternehmen Samsung und SK Hynix beherrschen zusammen mit Micron mehr als 90 Prozent des globalen DRAM-Marktes. CXMT hat seinen Anteil jedoch auf 5 Prozent ausgebaut.
• Der technologische Abstand beträgt bei Standard-DRAM etwa zwei bis drei Jahre und bei Hochbandbreitenspeichern drei bis vier Jahre. Die koreanischen Marktführer fertigen mit den Prozessknoten 1b und 1c, die chinesischen Unternehmen arbeiten mit 1z.
• Nach seinem ersten Gewinn im Jahr 2025 bereitete CXMT einen Börsengang in Shanghai im Volumen von 4,2 Milliarden US-Dollar vor. Unterstützt wird das Unternehmen durch Chinas 95 Milliarden US-Dollar schweren Halbleiterförderfonds „Big Fund“.
• Die südkoreanische Staatsanwaltschaft erhob im Dezember 2025 Anklage gegen zehn frühere Samsung-Mitarbeiter. Sie sollen CXMT DRAM-Technologie mit 10 Nanometern zugespielt und damit einen geschätzten Schaden von 3,56 Milliarden US-Dollar verursacht haben.
• US-Exportkontrollen schränkten im Dezember 2024 den Zugang zu Ausrüstung für die HBM-Fertigung ein. Zugleich sorgte die chinesische KI-Nachfrage dafür, dass Nvidia vor dem Verbot mehr als eine Million H20-Chips auslieferte.
• CXMT plant die Massenproduktion von HBM3 bis 2026 und von HBM3E bis 2027. Damit soll sich der Abstand zu den koreanischen Marktführern verringern, die bereits HBM3E ausliefern und HBM4 entwickeln.